技术编号：7247921
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种，其中该制造FinFET的方法，包括形成半导体鳍片；形成源区和漏区中的一个；形成牺牲侧墙；以牺牲侧墙作为掩模，形成源区和漏区中的另一个；去除牺牲侧墙；以及采用栅堆叠替代牺牲侧墙，该栅堆叠包括栅极导体和栅极电介质，栅极电介质将栅极导体与半导体鳍片隔开。专利说明[0001]本发明涉及半导体技术，更具体地，涉及。背景技术[0002]随着平面型半导体器件的尺寸越来越小，短沟道效应愈加明显。为此，提出了立体型半导体器件如FinFET (鳍片场效应晶体...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。