技术编号:7247923
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种,包括1)在晶圆中的硅基板上,形成制程所需的第一沟槽;2)在硅基板表面涂覆一层光刻胶,并对切割道处进行曝光,去除切割道处光刻胶;3)通过刻蚀,将切割道处刻一个第二沟槽,并去除光刻胶;4)在硅基板表面进行沟槽填充物沉积;5)对沟槽填充物进行干法回刻,至此将第一沟槽填充满。本发明对晶圆表面的应力进行释放,实现改善晶圆表面的翘曲度。专利说明[0001]本发明涉及一种半导体领域中的改善表面翘曲的方法,特别是涉及一种。背景技术[0002]目前在很多项...
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