技术编号:7248151
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了,包含将硅基片的表面进行预非晶化;从被预非晶化的表面对所述硅基片进行离子注入,得到P型硅基片或N型硅基片;修复所述硅基片表面由于所述预非晶化造成的晶格损伤。本发明提供的超浅结均匀性的改善方法,与直接用掺杂离子进行注入相比,预先用氦离子对硅基片的表面进行离子注入,破坏硅基片表面晶格结构以达到预非晶化,然后再进行所需要的离子注入,最后进行退火处理恢复被破坏的表面晶格,形成超浅结,故本发明可有效提高离子注入后,硅基片的注入离子剂量的均匀性,从而提高后...
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