形成低电阻线的方法和使用该方法制造薄膜晶体管的方法技术资料下载

技术编号:7248256

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本发明提供。形成线的方法包括在基底层上沉积金属层;通过去除所述金属层的一部分来暴露所述基底层的一部分;通过采用所述金属层作为掩模来去除所述基底层的暴露部分,在所述基底层中形成凹槽;在所述基底层的凹槽中形成籽晶层;和通过化学镀方式或电镀方式,在所述基底层的凹槽中形成的籽晶层上镀上镀层材料,以形成由所述籽晶层和镀层构成的线。专利说明[0001]本发明涉及,尤其涉及形成低电阻金属栅极和数据布线的方法及使用该方法制造薄膜晶体管的方法。背景技术[0002]已开发出了...
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