技术编号:7248424
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置,所述薄膜晶体管包括基板、栅电极、有源层、源漏电极、像素电极及一个或多个绝缘层,其中,至少一个绝缘层包括底层绝缘层及上层绝缘层,所述上层绝缘层中的氢含量高于所述底层绝缘层中的氢含量。本发明采用双层刻蚀阻挡层工艺制作薄膜晶体管,有效地降低了刻蚀阻挡层的氧化硅薄膜中的氢含量,避免硅烷分解产生的氢离子与有源层中的金属氧化物反应,使氧化物薄膜晶体管保持较优的特性,并提高了刻蚀阻挡层的薄膜沉积速率。专利说明薄膜...
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