技术编号:7248647
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供一种,包括下列步骤提供一基板;形成一绝缘层于该基板上;形成一图案化罩幕层于该绝缘层上;以及导入一混合气体对该绝缘层进行蚀刻,用以在该绝缘层中形成一穿孔,其中该混合气体包括一第一氟碳气体与一氧气,且该第一氟碳气体与该氧气的比例介于21~23。专利说明[0001]本发明涉及一种半导体制备方法,特别涉及一种可有效改善接触孔CD值的。背景技术[0002]为适应高集积度的需求,半导体元件的微型化已加速进行,因此,也就有了降低例如接触孔(contact ho...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。