技术编号:7248755
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般而言涉及半导体器件,更具体而言涉及CMOS薄BOX背栅极薄绝缘体上娃(extremely thin silicon-on_insulator,ETSOI)器件以通过使用金属背栅控制来降低短沟道效应。背景技术随着各种集成电路组件的尺寸縮小,晶体管(例如场效应晶体管(FET))历经了在性能与功率消耗方面的大幅改善。这些改善可大部分归功于其中所使用的组件的尺寸缩小,这通常转化为降低的电容、电阻以及增加的晶体管的通过(through-put)电流。然而,...
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