技术编号:7248906
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供一种LDMOS及其形成方法。在具有第一区域和第二区域的衬底上形成第一光阻层,所述第一光阻层包括光阻阵列,所述第一光阻层的光阻阵列覆盖所示第一区域并靠近所述第二区域,对所述衬底进行P阱离子注入;之后形成第二光阻层,所述第二光阻层包括光阻阵列,所述第二光阻层的光阻阵列覆盖所述第二区域并靠近所述第一区域,对所述衬底进行N阱离子注入。这能够有效的限制离子注入后的离子分布,使所形成的PN结为缓变结,这就使得BVDS可以增大。专利说明LDMOS及其形成方法[...
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