一种利用浸锡银铜合金法制作的单芯片封装件的制作方法技术资料下载

技术编号:7248992

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本实用新型公开了一种利用浸锡银铜合金法制作的单芯片封装件,所述封装件主要由框架内引脚、锡层、金属凸点、芯片和塑封体组成;所述金属凸点由芯片的压区表面采用浸锡银铜合金法形成,所述框架内引脚与金属凸点的焊接区有一层电镀的锡层,框架内引脚上是锡层,锡层上是金属凸点、金属凸点上是芯片、所述塑封体包围了框架内引脚、锡层、金属凸点、芯片,芯片、金属凸点、锡层、框架内引脚构成了电路的电源和信号通道。本实用新型具有成本低、效率高的特点。专利说明一种利用浸锡银铜合金法制作的...
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