技术编号:7249145
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种发光装置包括具有n型III-V族半导体的第一层;与所述第一层相邻的第二层,所述第二层包括在电子与空穴复合时生成光的有源材料。在某些例子中,所述有源材料具有密度在大约1个V凹点/μm2与30个V凹点/μm2之间的一个或多个V凹点。所述发光装置包括与所述第二层相邻的第三层,所述第三层包括p型III-V族半导体。专利说明用于发光装置的发光区域[0001]相关申请的交叉引用[0002]本申请要求于2011年9月29日提交的美国专利申请N0.13/249146的...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。