技术编号:7249357
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供包括门控二极管及浅沟槽隔离STI二极管的二极管、制造方法及有关电路,其无至少一个晕圈或口袋植入,借此减小所述二极管的电容。以此方式,所述二极管可用于具有对负载电容敏感的性能的电路及其它装置中,同时仍获得所述二极管的性能特性。门控二极管的这些特性包括快速接通时间及高传导性,从而使得所述门控二极管很好地适合于作为一个实例的静电放电ESD保护电路。二极管包括半导体衬底,所述半导体衬底具有井区域及所述井区域上的绝缘层。栅电极形成于所述绝缘层上。阳极区域及...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。