技术编号：7249377
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。一种发光二极管(LED)，包括n型III-V族半导体层、与所述n型III-V族半导体层相邻的有源层、以及与所述有源层相邻的p型III-V族半导体层。所述有源层包括一或多个V凹点。所述p型III-V族半导体层的部分在所述V凹点中。在所述p型III-V族层形成期间提供的p型掺杂物注入层帮助提供所述V凹点中所述p型掺杂物的预定浓度、分布和/或一致性。专利说明用于发光装置的P型掺杂层[0001]相关申请的交叉引用[0002]本申请要求于2011年9月29日提交的申...
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