技术编号:7249503
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种,包括在碳化硅衬底(1)上形成漂移层(2);在所述漂移层(2)的表面部分上或表面部分中形成基极层(3);在所述基极层(3)的表面部分中形成源极区(4);形成沟槽(6),以穿透所述基极层(3)并且到达所述漂移层(2);在所述沟槽(6)中的所述栅极绝缘膜(7)上形成栅极电极(8);形成电连接至所述源极区(4)和所述基极层(3)的源极电极(9);以及在所述衬底(1)的背侧表面上形成漏极电极(11)。形成所述沟槽(6)包括对衬底表面进行平坦化,并且在平坦化之后...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。