技术编号：7249668
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。公开了具有凹陷沟道和突变结的MOSFET和用于制造该MOSFET的方法。所述方法包括在虚设栅极处于适当位置时制造源极和漏极延伸。所述源极/漏极延伸与硅衬底产生扩散结。所述方法包括除去所述虚设栅极以及在所述硅衬底中蚀刻凹陷。所述凹陷与所述源极和漏极结的至少一部分相交。然后，通过生长硅膜以至少部分填充所述凹陷而形成沟道。所述沟道与源极和漏极具有陡峭结，而保留在沟道下方的未被蚀刻的硅具有与源极和漏极的扩散结。由此，可以产生在同一晶体管中具有两个结区（陡峭和扩散）...
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