技术编号:7249733
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种半导体装置,构成为,在形成有栅电极(108)的槽(105)的底部或槽(105)正下方的漂移区域(102)内形成阳极区域(106),以到达阳极区域(106)的深度在槽(105)内形成接触孔(110),经由内壁绝缘膜(111)在接触孔(110)埋设源电极(112),在通过内壁绝缘膜(111)与栅电极(108)绝缘的状态下,将阳极区域(106)和源电极(112)电连接。专利说明[0001]本发明涉及具备晶体管以及二极管的。背景技术[0002]目前,作为这种技...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。