技术编号：7250229
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。击穿电压结构部（3）包括具有环形多晶硅场板（7）和金属场板（9b）的双重结构的场板。此外，在击穿电压结构部（3）中，多个环形保护环（4b）设置在半导体衬底（1）的前表面的表面层中。多晶硅场板（7）分开配置在保护环（4b）的内周侧以及外周侧。将内周侧和外周侧的多晶硅场板（7）相连接的多晶硅桥（8）以预定间隔设置在多个保护环（4b）中的至少一个保护环（4b），从而配置在保护环（4b）的整个圆周上。金属场板（9b）设置在击穿电压结构部（3）的角隅部（3-2）中的...
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