技术编号：7250572
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。一种切割具有多个IC的基板的方法。一种方法包括形成多层掩模，该多层掩模包含位于半导体基板上的可溶于溶剂中的第一掩模材料层及位于该第一掩模材料层上的不溶于该溶剂中的第二掩模材料层。使用激光划线工艺对该多层掩模进行图案化以提供具有间隙的图案化掩模。图案化暴露基板介于IC之间的区域。随后，利用第二掩模材料层保护第一掩模材料层免受至少一部分等离子体蚀刻，对该基板进行等离子体蚀刻至贯穿图案化掩模中的间隙，以单体化IC。在单体化之后溶解可溶材料层以去除多层掩模。专利说...
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