技术编号:7250650
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供一种,所述氮化物半导体装置包括形成在Si基板(10)上的未掺杂GaN层(1)和未掺杂AlGaN层(2)、以及形成在未掺杂GaN层(1)和未掺杂AlGaN层(2)上的由Ti/Al/TiN构成的欧姆电极(源极(11)、漏极(12))。使所述欧姆电极中的氮浓度在1×1016cm-3以上且1×1020cm-3以下。由此,能够降低氮化物半导体层与欧姆电极的接触电阻。专利说明[0001]本发明涉及一种。背景技术[0002]以前,作为氮化物半导体装置,有时会在...
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