技术编号:7250700
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。在一个实施例中,一种形成隔离间隔结构的方法包括提供基底层;在所述基底层的上表面之上提供中间层;在所述中间层中蚀刻第一沟槽,将第一隔离材料部分沉积到第一沟槽内;将第二隔离材料部分沉积到所述中间层的上表面之上;在第二隔离材料部分的上表面之上形成上部层;在所述上部层中蚀刻第二沟槽;和将第三隔离材料部分沉积到第二沟槽内和第二隔离材料部分的上表面上。专利说明具有包括水平件的间隔结构的晶片[0001]本申请要求2011年4月14日提交的美国临时申请N0.61/475,...
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