技术编号:7250848
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。能够减小导通电阻并提高半导体装置的产率的碳化硅衬底(1)由单晶碳化硅制成,且硫原子在一个主表面(1A)中以60×1010原子/cm2以上且2000×1010原子/cm2以下的比率存在且氧原子在所述一个主表面(1A)中以3原子%以上且30原子%以下的比率存在。专利说明[0001] 本发明涉及。更特别地,本发明涉及能够减小导通电阻并提高半导体装置的产率的碳化硅衬底、使用所述衬底的半导体装置及它们的制造方法。背景技术[0002]近年来,为了在高温环境下实现半导体...
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