技术编号:7250850
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开一种使用于半导体装置的包含铜的金属膜蚀刻液组合物及使用其的蚀刻方法。本发明的金属膜蚀刻液组合物包含氟硼酸或氟硼酸和至少一种含氟化合物。利用根据本发明的蚀刻液组合物的包含铜的金属膜的蚀刻方法,在蚀刻时不仅不损伤下部的玻璃基板,而且可以一并蚀刻含铜多层金属膜,可以提高半导体装置的生产收率。本发明的蚀刻液组合物和利用其的蚀刻方法由于不使用硫酸盐,从而可以防止因错层及侵蚀造成的断路(Data?Open)不良,另外,由于不使用有机酸能够进行蚀刻,从而具有可...
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