技术编号：7251221
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明描述了切割半导体晶圆的方法，每一晶圆具有多个集成电路。方法包括以下步骤在半导体晶圆上方形成掩模，所述掩模由覆盖及保护集成电路的层组成。半导体晶圆由基板载具支撑。随后用激光划线工艺图案化掩模，以提供具有间隙的图案化掩模，从而曝露半导体晶圆在集成电路之间的区域。随后在由基板载具支撑时穿过图案化掩模中的间隙蚀刻半导体晶圆，以切割集成电路。专利说明使用基板载具的混合激光与等离子体蚀刻晶圆切割[0001]背景[0002]I)领域[0003]本发明的实施例关于半...
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