技术编号：7251225
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。根据本发明的一个实施方式，一种包括以下步骤制备晶片样品、在晶片样品上形成氧化层、使用表面光电压来测量少数载流子的扩散距离和确定污染的程度。专利说明[0001]各实施方式涉及一种评估晶片中的缺陷的方法。背景技术[0002]—般而言，CZochralski (在下文中，被称为“CZ”)方法被最广泛地用作制造娃晶片的方法。在CZ方法中，多晶硅装入石英坩埚中，并通过石墨加热器加热并熔融装入的多晶硅。然后，将晶种浸入所生成的熔融的硅中以产生在其间界面上结晶。从而，通...
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