技术编号:7251227
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。描述一种切割半导体晶圆的方法,其中每个晶圆具有多个集成电路。一种方法包括在半导体晶圆上方形成掩模,所述半导体晶圆位于可水溶管芯附接膜上,所述掩模覆盖并保护所述集成电路。以激光划线工艺图案化所述掩模,以提供具有间隙的图案化掩模。所述图案化暴露出所述集成电路之间的半导体晶圆的区域。然后经由所述图案化掩模中的间隙蚀刻所述半导体晶圆,以形成切割的集成电路。然后以水性溶液图案化可水溶管芯附接膜。专利说明使用可水溶管芯附接膜的激光及等离子体蚀刻晶圆切割[0001]背景...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。