技术编号:7251312
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。根据本发明各实施例的方法包括提供生长在生长衬底上的半导体装置的晶片。该半导体装置的晶片具有第一表面以及与第一表面相对的第二表面。第二表面为生长衬底的表面。该方法还包括将第一表面结合到第一晶片以及将第二表面结合到第二晶片。在一些实施例中,第一晶片和第二晶片分别具有与生长衬底不同的热膨胀系数。在一些实施例中,第二晶片可以补偿由第一晶片引入到半导体装置的晶片的应力。专利说明[0001]本发明涉及将诸如III族氮化物发光二极管的半导体发光装置附接到支持衬底的方法。...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。