技术编号：7251318
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。公开了用于碳化硅（SiC）半导体器件的负斜角边缘终端。在一个实施例中，负斜角边缘终端包括以期望的斜度接近于平滑负斜角边缘终端的多个台阶。更具体地，在一个实施例中，负斜角边缘终端包括至少五个台阶、至少十个台阶或至少15个台阶。在一个实施例中，期望的斜度小于或等于十五度。在一个实施例中，负斜角边缘终端导致半导体器件的阻断电压为至少10千伏（kV）或至少12kV。半导体器件优选地但不一定是诸如功率晶闸管之类的晶闸管、双极性结型晶体管（BJT）、绝缘栅双极性晶体管...
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