技术编号：7251339
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。制备具有表面（SO）的碳化硅衬底（90）。直接在碳化硅衬底（90）的表面（SO）上形成由第一材料制成的涂覆膜（50）。在涂覆膜（50）上形成由第二材料形成的掩膜层（31）。与第二材料相比，第一材料具有与碳化硅更高的粘附性。在该掩膜层（31）中形成第一开口（P1）。借助穿过掩膜层（31）中的第一开口（P1）并且也穿过涂覆膜（50）的离子束（J1），将用于提供第一导电类型的第一杂质离子注入到碳化硅衬底（90）。专利说明[0001]本发明涉及一种，并且特别地涉及...
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