技术编号：7251375
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。形成光伏器件的半导体材料的方法包括提供含氢化非晶硅的材料的表面，和将含氢化非晶硅的材料在含氘气氛中退火。将来自含氘气氛的氘穿过含氢化非晶硅的材料的表面引入含氢化非晶硅的材料的晶格中。在一些实施方案中，引入含氢化非晶硅的材料的晶格中的氘提高含氢化非晶硅的材料的稳定性。专利说明[0001]背景[0002]本公开内容涉及氢化非晶硅(a _S1H)及其合金。本公开内容进一步涉及包含并入其中的氢化非晶硅的光伏器件，例如太阳能电池。氢化非晶硅可用于生产太阳能电池和晶体...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。