技术编号:7251421
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。兹描述切割半导体晶片的方法,每一晶片具有多个集成电路。方法包括形成掩模于半导体晶片上。掩模由覆盖及保护集成电路的层组成。接着以电流激光划线制程图案化掩模,以提供具有间隙的图案化掩模。图案化露出集成电路间的半导体晶片区域。接着经由图案化掩模的间隙蚀刻半导体晶片,以单粒化集成电路。专利说明使用具有等离子体蚀刻的混合式电流激光划线制程的晶片切割[0001]本发明的实施例系关于半导体处理领域,且特别系关于切割半导体晶片的方法,每一晶片具有多个集成电路于上。背景技术...
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