技术编号:7251483
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种有源矩阵型显示装置,课题是作为液晶显示装置或者有机EL显示装置的像素TFT,使用了跟无定形硅相比电场效应迁移率更大的无定形的金属氧化物系半导体或者有机半导体时,由过充电效应的增大所引起的闪烁程度的增大和画面亮度的均匀性低下,由此导致的显示质量降低,对其进行抑制。解决方法是重新导出闪烁和烧坏等视认性较高的中间调显示中的穿通电压和作为过充电效应指标的对置电极电位的面内差异之间的关系式,将以此为基础新导出的对置电极电位的面内差异降低至容许极限值以下...
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