技术编号:7251519
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。在一种用于氮化物半导体发光元件的制造方法中,所述氮化物半导体发光元件包含单晶衬底1;和AlN层2;和第一导电类型的第一氮化物半导体层3;和由AlGaN基材料构成的发光层4;和第二导电类型的第二氮化物半导体层6,形成所述AlN层2的步骤包含第一步骤,将Al源气体和N源气体供应至所述反应器中,以生成将为所述单晶衬底1的所述表面101上的所述AlN层2的部分的具有Al极性的一组AlN晶核2a;和第二步骤,在所述第一步骤之后将所述Al源气体和所述N源气体供应至所述...
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