技术编号:7251948
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。在n型碳化硅衬底(90)上形成p型集电极层(101e)。在集电极层(101e)的顶表面侧上形成n型漂移层(102)。形成设置在漂移层(102)上的p型体区(103)以及设置在体区(103)上以通过体区(103)与漂移层(102)分离的n型发射极区(204)。通过移除碳化硅衬底(90)来暴露集电极层(101e)的底表面侧(101B)。专利说明[0001]本发明涉及一种,并且特别涉及一种制造包括具有P型集电极层的碳化娃半导体器件。背景技术[0002]例如,Qi...
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