技术编号:7252186
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明的的特征在于,其在形成于基板上的、具有硅层和绝缘层层叠而成的层状结构的层叠膜中,对于出现于在与基板面垂直的方向上形成的孔或槽的内侧面的硅层,使用蚀刻气体进行蚀刻时,作为蚀刻气体,使用含有选自ClF3、BrF5、BrF3、IF7、IF5中的至少一种气体和F2的气体。由此,能够抑制硅层的干蚀刻深度的不均匀化。专利说明[0001]本发明涉及形成于基板上的立体性三维结构元件的硅层的干蚀刻。背景技术[0002]半导体元件的高集成化逐年进展。迄今为止,为了增加集...
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