技术编号:7252278
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了到半导体结构的低电阻率接触的实施例。在一个实施例中,一种半导体结构包括半导体层;处于半导体层的表面上的、具有低带隙的半导体接触层;以及处于半导体接触层的与半导体层相对的表面上的电极。半导体接触层的带隙在0到0.2电子伏(eV)范围内并且包括0和0.2电子伏,更优选地在0到0.1eV范围内并且包括0和0.1eV,甚至更优选地在0到0.05eV范围内并且包括0和0.05eV。优选地,半导体层是p型。在一个具体实施例中,半导体接触层和电极形成到p型半...
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