技术编号:7252304
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供一种,所述方法包括单独电沉积铜和至少一种除铜以外的元素以填充衬底内所形成的贯穿衬底的导通体开口的剩余体积。使所述电沉积的铜和所述至少一种另一元素退火以形成所述铜与所述至少一种另一元素的合金,所述合金用于形成包括所述合金的导电性贯穿衬底的导通体结构。专利说明[0001]本文揭示的实施例涉及。背景技术[0002]贯穿衬底的导通体是完全穿过包含集成电路的衬底的垂直电连接。贯穿衬底的导通体可用于产生3D集成电路中的3D封装且由于贯穿衬底的导通体的密度可实...
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