技术编号:7252447
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种钽溅射靶,其特征在于,在钽溅射靶的溅射面上,(200)面的取向率为70%以下、并且(222)面的取向率为10%以上。通过控制靶的晶体取向,可以加快溅射速率,由此,能够在短时间内形成需要的膜厚,可以提高生产能力。专利说明[0001]本发明涉及。特别是涉及用于形成作为LSI中的铜布线的扩散阻挡层的Ta膜或TaN膜的。背景技术[0002]以往,使用铝作为半导体元件的布线材料,但伴随元件的微细化、高集成化,浮现布线延迟的问题,从而开始使用电阻小的铜来代替铝。铜...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。