技术编号：7252986
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明是一种在制备光伏电池过程中在基于铜硫属化物的吸收体上形成基于硫化镉缓冲体的方法。以两个步骤溅射该缓冲体，第一步骤在低速率或相对高压下，且第二步骤在高速率或相对低压下。所得的电池具有良好的效率，并且根据一个实施方案，特征在于在吸收体和缓冲体层之间的狭窄界面。根据第二实施方案，缓冲体的特征还在于相对高的氧含量。专利说明发明领域[0001]本发明涉及，且尤其涉及在些电池中形成缓冲体层的方法，以及通过此方法制成的电池。[0002]发明背景[0003]可以使用...
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