技术编号：7253281
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。在一种方法中形成具有反向极化帽的增强模式III-N族高电子迁移率晶体管HEMT(200)，所述方法利用例如InGaN帽结构的反向极化帽结构(212)，其用以使二维电子气体2DEG耗尽并形成常关型装置；以及间隔件层(210)，其位于所述反向极化帽结构下面及所述HEMT的势垒层(118)上面，允许在不蚀刻到所述势垒层中的情况下蚀刻所述反向极化帽层。专利说明具有反向极化帽的增强模式I I 1-N族高电子迁移率晶体管[0001]本发明大体来说涉及包含增强模式II1...
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