技术编号:7253541
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。在一个阱偏置布置中,不施加阱偏置电压至n阱,并且不施加阱偏置电压至p阱。因为没有施加外部阱偏置电压,n阱和p阱是浮置的,甚至在n阱和p阱中器件操作期间。在另一阱偏置布置中,最低可用电压不施加至p阱,诸如接地电压、或者施加至p阱中n型晶体管的n+掺杂源极区域的电压。这甚至在p阱中n型晶体管操作期间也发生。在又一阱偏置布置中,最高可用电压不施加至n阱,诸如电源电压、或者施加至n阱中p型晶体管的p+掺杂源极区域的电压。这甚至在n阱中p型晶体管操作期间也发生。专利...
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