技术编号：7253593
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。一种场效应晶体管(FET)具有与沟道层接触的源极接点、与沟道层接触的漏极接点、以及在沟道层之上的势垒层上的栅极接点，该FET包括在源极接点和漏极接点之间的势垒层上并且覆盖栅极接点的电介质层；以及在电介质层上的场板，该场板连接至源极接点并且延伸超过栅极接点和漏极接点之间区域，并且该场板包含位于栅极接点和漏极接点之间区域的倾斜侧壁。专利说明[0001] 相关申请的交叉引用[0002] 无 [0003] 本发明涉及场效应晶体管（FET)，尤其涉及高压氮化镓...
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