技术编号：7253599
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。在其上包括多条栅极线的半导体衬底顶上形成有机平面化层(OPL)。每条栅极线至少包括高k栅极电介质以及金属栅极。然后在OPL顶上设置其中形成有至少一个图形的构图的光致抗蚀剂。所述光致抗蚀剂中的所述至少一个图形垂直于每一条所述栅极线。然后通过蚀刻将所述图形转移到OPL以及下伏的栅极线中的每一条的一部分中以提供多个栅极叠层，每一个栅极叠层至少包括高k栅极电介质部分和金属栅极部分。然后利用一系列步骤去除构图的光致抗蚀剂和剩余的OPL层，所述一系列步骤包括与第一酸的...
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