技术编号:7253667
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。根据本发明的实施例的器件包括半导体结构,该半导体结构包括发光层,该发光层夹在n型区和p型区之间,以及第一金属接触和第二金属接触,其中,该第一金属接触与n型区直接接触,并且该第二金属接触与p型区直接接触。第一金属层和第二金属层分别布置在第一金属接触和第二金属接触上。第一金属层和第二金属层充分厚以机械地支撑半导体结构。第一金属层和第二金属层之一的侧壁包括三维特征。专利说明具有厚金属层的半导体发光器件[0001]本发明涉及一种具有厚金属层的半导体发光器件。背景技...
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