技术编号:7254034
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。用于平滑化由半导体合金制造的第一基板(3)的粗糙表面(4)的工艺,该合金基于选自Ga、As、Al、In、P和N的至少两种元素,其通过放置第二基板(6)面对第一基板(3)使得粗糙表面(4)放置为面对第二基板(6)的表面而实现。第一基板(3)和第二基板(6)分开至少10μm的距离d,两个基板(3、6)的面对部分限定限制空间(5)。第一基板(3)然后被加热以部分地解吸所述合金的一种元素,在限制空间(5)中达到该元素的饱和蒸气压,并且获得足以降低粗糙表面(4)的粗...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。