技术编号:7254092
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及制造衬底的方法,包括下述步骤提供具有至少一个自由表面(7)的供体衬底(1)、执行在供体衬底(1)的预定深度(d)的离子注入以在供体衬底(1)中形成深入预定分开区域(2),并且其特征在于提供粘合剂层(4)(特别是粘合膏),覆盖该供体衬底(1)的至少一个自由表面(7)。本发明进一步涉及半导体结构(91、91’、92、93、93’),包括半导体层(1,1’)以及被设置于该半导体层(1,1’)的一个主侧(7)上的陶瓷基和/或石墨基和/或金属基的粘合剂层(...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。