技术编号:7254137
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供一种含硅薄膜(1)的制造方法,该含硅薄膜(1)的制造方法具有利用含氟气体干洗室(2)内的第一工序、将基板(10)搬入室(2)内的第二工序、在使基板(10)设置在室(2)内的状态下利用硅烷类气体净化室(2)内的第三工序、在第三工序之后在基板(10)上形成含硅薄膜(1)的第四工序。专利说明[0001]本发明涉及。背景技术[0002]作为薄膜太阳能电池等所使用的硅膜的形成方法,通常使用化学气相沉积(Chemical Vapor Deposit1n(以下...
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