技术编号：7254563
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。具有形成杂质扩散层的工序；在半导体基板的一面侧形成与杂质扩散层电连接的受光面侧电极的工序；在半导体基板的另一面侧形成背面侧电极的工序；以及在受光面侧电极形成前的任意时间点，在半导体基板的一面侧的表面形成具有倒金字塔形状的凹部的凹凸构造，并且包括保护膜形成工序，在半导体的一面侧形成保护膜；第1加工工序，利用加工处理效率相对高的方法，在保护膜形成接近所希望的开口形状、比作为目标的开口尺寸小的多个第1开口部；第2加工工序，利用加工处理精度相对高的方法，扩大第1开...
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