技术编号:7254669
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。具有缺陷辅助的硅吸收区域的雪崩光电二极管。一示例包括衬底;位于衬底上的硅层,硅层包括正掺杂区域、负掺杂区域和正掺杂区域与负掺杂区域之间的吸收区域,吸收区域在其晶体结构中包括缺陷;以及与正掺杂区域和负掺杂区域电通信以接收偏置电位的多个接触。专利说明具有缺陷辅助的硅吸收区域的雪崩光电二极管 背景技术 [0001]传统上,计算机中的电子部件和其他电器之间的信号由铜导线或者其他金属互连来承载。数字电子器件的速度增加已经使这种类型的信号承载达到其极限,即使在单个...
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