技术编号:7254750
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种存储器单元包括晶体管,具有第一源极/漏极端子,所述第一源极/漏极端子利用半导体材料与第二源极/漏极端子分隔开;栅极端子,被放置在所述半导体材料附近使得栅极端子电压的增加会增加所述半导体材料的导电率;并且所述第一源极/漏极端子串联连接到负微分电阻材料。专利说明存储具有负微分电阻材料的存储器 背景技术 [0001]许多计算机产品使用静态随机存取存储器(SRAM)和动态随机存取存储器(DRAM)。这些类型的存储器中的每个具有不同的优点。例如,SRAM与互...
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