技术编号:7254875
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体芯片器件制造工艺领域,公开了,对氧化后的衬底的有源区进行光刻;将N型离子注入及驱入有源区形成N型区域,所述N型区域的上表面生成薄氧化层;对所述的薄氧化层进行湿法刻蚀;对衬底的分压环区进行光刻并注入P型离子形成P型区域即得到分压环。通过刻蚀N型区域的上表面生成的薄氧化层,有效避免了现有工艺中光刻胶边缘卷起,从而对P型离子的注入区域进行了准确的控制,对功率器件的功能提供了保障。专利说明[0001]本发明涉及半导体芯片制造工艺,尤其涉及。背景技术...
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