技术编号:7254878
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。应力降低装置。一种结构包括在第一半导体管芯的顶面上形成的多个连接件;在第一半导体管芯上形成并且通过多个连接件连接到第一半导体管芯的第二半导体管芯;以及在第一半导体管芯的边缘和多个连接件之间形成的第一伪导电平面,其中第一伪导电平面的边缘和第一距中性点距离(DNP)方向形成第一角度,其中第一角度小于或者等于45度。专利说明应力降低装置[0001]本发明涉及三维集成电路器件,更具体而言,涉及应力降低装置。背景技术[0002]由于各种电子部件(例如,晶体管、二极管...
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